分析塑料中鎘的形狀和厚度校正方法

發(fā)布日期：2022-09-19 瀏覽次數(shù)：1309

分析塑料中鎘的形狀和厚度校正方法

在分析塑料中的鎘 (Cd) 時，由于 Cd (Cd-Ka: 23.2 keV) 的熒光 X 射線能量很高，因此產(chǎn)生的熒光 X 射線的強(qiáng)度會因樣品的厚度和形狀而異。（如果樣品基體是氯乙烯等，飽和厚度約為5mm。）由于樣品厚度和形狀引起的Cd強(qiáng)度變化直接反映為分析誤差。然而，在實際測量現(xiàn)場很難統(tǒng)一分析樣品的厚度和形狀。因此，我們能夠通過使用樣品產(chǎn)生的散射輻射的校正方法來校正形狀和厚度。

測量條件

設(shè)備：OURSTEX150RoHS

探測器：硅漂移探測器（SDD）

管電壓/電流：48kV-AUTO

測量時間：100秒

測量結(jié)果

樣品厚度

使用 250ppm 氯乙烯片材標(biāo)準(zhǔn)樣品（厚度 2mm）。將此表的兩到三張重疊并分析，并進(jìn)行比較有無校正。
結(jié)果如表1所示。校準(zhǔn)曲線是用一張紙創(chuàng)建的。

如果不進(jìn)行校正，定量誤差會隨著張數(shù)的增加而反映出來，但結(jié)果表明，通過校正可以減小樣品厚度的影響。

樣品形狀

在測量導(dǎo)線涂層時，樣品的曲面形狀和內(nèi)腔的影響會導(dǎo)致 Cd 的量化誤差。

表2顯示了導(dǎo)線涂層（圖 1）和 ICP 之間的相關(guān)性。

概括

采用散射輻射校正方法，對各種樣品形狀和厚度的樣品都取得了良好的效果。